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SK하이닉스 용인 반도체 클러스터는 대한민국의 ‘인공지능(AI) 인프라스트럭처 강국’을 향한 시험대가 될 전망이다.

글로벌 AI 메모리 수요에 대응하기 위한 핵심 기지이자 국내 소부장(소재·부품·장비) 기업 생태계의 중심지가 될 예정이기 때문이다. SK하이닉스는 이를 바탕으로 ‘풀 스택 AI 메모리 크리에이터’로 전환해 급증하는 고대역폭메모리(HBM) 등 고성능 AI 메모리에 대한 글로벌 수요를 충족하는 리더 역할을 하는 동시에 한국 반도체 경쟁력 강화의 메카로 거듭나겠다는 전략을 갖고 있다.

용인 반도체 클러스터는 전 세계 최초로 HBM을 개발하고 현재 세계 1위 HBM 기업으로 거듭난 SK하이닉스가 6세대 HBM인 HBM4와 그 확장판인 HBM4E 등 차세대 HBM 시대를 준비하는 전초기지 역할을 하게 된다. SK하이닉스는 미국 엔비디아 등 글로벌 빅테크 기업의 AI 가속기에 들어갈 차세대 HBM의 핵심 공급사로 지목되고 있다. 이를 위해 SK하이닉스는 HBM에 쓰이는 D램 적층을 16단으로 높이는 등 고난도 공정을 선도적으로 개발하고 있다.

SK하이닉스는 2026~2028년 HBM4 16단과 HBM4E 8·12·16단 제품을 차례로 출시하고 고객 맞춤형 HBM4E를 더한 ‘풀 스택 AI 메모리 포트폴리오’를 완성하겠다는 로드맵을 구상하고 있다. 2029~2031년에는 HBM5와 HBM5E에서 차세대 그래픽 D램(GDDR) 등으로 이어지는 청사진도 제시했다. HBM3E 세계 최초 양산 이후 ‘AI 슈퍼 사이클’의 최대 수혜 기업 중 하나로 꼽히는 SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터를 통해 기술 개발부터 양산, 검증, 공급망 안정화까지 아우르는 생태계를 구축하는 데 총력을 기울이고 있다.

용인 반도체 클러스터의 특징 중 하나는 14만평 규모의 협력화 단지다. 여기에는 50여 개 협력사가 입주를 기다리고 있다. 소부장 기업과의 상생협력을 위해 현재 건설 중인 1기 팹에는 12인치 웨이퍼를 기반으로 하는 최신 장비가 도입된다. 이는 소부장 기업들이 자체적인 대규모 시설이 없어도 반도체 칩 제조사와 함께 개발 제품의 양산 신뢰성을 검증할 수 있게 해준다.

소부장 기업은 지금까지 신기술이나 신제품을 개발해도 실제 양산 라인에 적용하기 전 이를 검증할 시설이 없어 어려움을 겪어왔는데 1기 팹에 도입되는 최첨단 공정 설비를 통해 관련 문제를 해소한다. 이를 통해 국내 소부장 기업의 기술 자립도를 획기적으로 높이고 글로벌 경쟁력을 강화해 반도체 공급망을 안정화하는 효과도 기대할 수 있다.

[용인 = 박민기 기자 / 이덕주 기자]