국가 핵심기술로 지정된 삼성전자의 D램 제조기술로 중국 기업의 메모리 반도체 양산을 성공시킨 전직 삼성전자 임원이 구속기소됐다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 1일 삼성전자 상무로 재직했던 양 모씨 등 전직 삼성전자 직원 3명을 산업기술보호법 위반·부정경쟁방지법 위반 등의 혐의로 구속기소했다고 밝혔다. 양씨 등 3명은 2016~2018년께 차례대로 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)로 이직한 뒤, CXMT가 삼성전자 독자기술을 이용해 18나노 D램 양산에 성공할 수 있도록 적극적으로 개입한 혐의를 받고 있다. 이들 범행으로 인해 CXMT는 중국 1위 D램 생산업체로 자리매김할 수 있었다는 게 검찰 판단이다. 삼성전자는 이 기술 개발에 약 1조6000억원을 투입한 것으로 알려졌다.

기술을 직접 빼돌린 사람이 아닌, 빼돌린 기술을 이용해 반도체 양산을 성공시킨 사람이 구속된 것은 이번이 처음이다. 이들은 기술유출 범행으로 역대 최고 형량을 선고받은 삼성전자 부장 출신 김 모씨의 공범이다.

[김민소 기자]

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